Поиск публикаций . Научные конференции и семинары . Новости науки . Научная сеть

    Научные конференции

 
Пример: Modern Telecommunications
RSS Канал


Объявления


VII Международная конференция и VI Школа молодых ученых и специалистов "Кремний-2010"





VII Международная конференция и VI Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе.



Конференция ведет свою историю с общероссийского совещания по кремнию, проведенного в МИСиС в 1999 году. С 2000 года параллельно с конференцией проводится Школа для молодых ученых и специалистов. За эти годы мероприятие превратилось в основной в России и странах СНГ форум, где ученые, представляющие академическое сообщество, ВУЗы и промышленность России и стран СНГ, могут обсудить актуальные проблемы по всему кругу вопросов, включающему рост и материаловедение объемных кристаллов и тонких пленок кремния и родственных материалов, а также физику, технологию и диагностику наноструктур на их основе. С 2008 года конференция имеет международный статус.



Официальные языки представления докладов – русский и английский.



Организаторы конференции



● Институт физики микроструктур РАН,

● Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,

● Институт химии высокочистых веществ РАН,

● Национальный исследовательский технологический университет «Московский институт стали и сплавов»,

● Научный совет РАН «Физико-химические основы материаловедения полупроводников»,

● Научный совет РАН по физике полупроводников,

● Нижегородский фонд содействия образованию и исследованиям



Основные темы конференции



●Рост и материаловедение объемных кристаллов кремния и родственных материалов (Ge, SiGe);

●Производство кремния для солнечной энергетики и структур на его основе;

●Рост и материаловедение тонких (в том числе эпитаксиальных) пленок на кремнии, включая кремний-на-изоляторе, напряженные структуры и low — and high-k диэлектрики;

●Физика кремниевых квантово-размерных структур твердотельной электроники, в том числе нано- и оптоэлектроники, спинтроники и фотоники;

●Нанотехнологии кремниевой электроники, включая ионную имплантацию, литографию, технологии создания квантовых точек и скрытых слоев;

●Диагностика кремния и приборных структур на его основе;

●Новые приборы, включающие элементы микромеханики, оптоэлектроники, силовой электроники, светоизлучающие структуры и фотоприемники.



Оргкомитет конференции и школы



Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород — председатель

Дашевский М.Я., НИТУ « МИСиС », Москва — зам. председателя

Павлов Д.А., ННГУ, Н.Новгород — зам. председателя

Новиков А.В., ИФМ РАН, Н.Новгород — ответственный секретарь



Абросимов Н.В. Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung,

Berlin Литовченко В.Г. ИФП НАНУ, Киев

Алексеев С.В. ПО «Луч», Подольск Макеев Х.И.

г. Подольск

Андреев Б.А. ИФМ РАН, Н.Новгород Непомнящих А.И. ИГХ, Иркутск

Асеев А.Л. ИФП СО РАН, Новосибирск Орликовский А.А. ФТИ РАН, Москва

Воротынцев В.М. НГПУ, Н.Новгород Пархоменко Ю.Н. ГИРЕДМЕТ, Москва

Вяткин А.Ф. ИПТМ РАН, Черноголовка Pohl H.J. VITCON Gmb H, Jena

Грибов Б.Г. ОАО «НИИМЭ и Микрон»,

Зеленоград Пчеляков О.П. ИФП СО РАН, Новосибирск

Гусев А.В. ИХВВ РАН, Н.Новгород Резниченко М.Ф. ИНХ СО РАН, Новосибирск

Двуреченский А.В. ИФП СО РАН, Новосибирск Сенников П.Г. ИХВВ РАН, Н.Новгород

Ежлов В.С. НИТУ «МИСиС», Москва Тетельбаум Д.И. ННГУ, Н.Новгород

Земсков В.С. ИМЕТ РАН, Москва Харченко Л.Ю.

ИНХ СО РАН, г. Новосибирск

Казанский А.Г. МГУ, Москва Шастин В.Н. ИФМ РАН, Н.Новгород

Ежевский А.А. ННГУ, Н.Новгород Чурбанов М.Ф. ИХВВ РАН, Н.Новгород

Кобелева С.П.

НИТУ «МИСиС»; г. Москва

Чупрунов Е.В. ННГУ, Н.Новгород

Кузнецов Ф.А. ИНХ СО РАН, Новосибирск



Локальный комитет



Красильник З.Ф., ИФМ РАН, Н.Новгород — председатель

Павлов Д.А., ННГУ, Н.Новгород — зам. председателя

Новиков А.В., ИФМ РАН, Н.Новгород — ответственный секретарь



Андреев Б.А. ИФМ РАН, Н.Новгород Михайлов А.Н. ННГУ, Н.Новгород

Горшков О.Н. ННГУ, Н.Новгород Пахомов Г.Л. ИФМ РАН, Н.Новгород

Демидов Е.С. ННГУ, Н.Новгород Планкина С.М. ННГУ, Н.Новгород

Карзанов В.В. ННГУ, Н.Новгород Шалеев М.Н. ИФМ РАН, Н.Новгород

Кузьмичев А.И. ИФМ РАН, Н.Новгород Шиляев П.А. ННГУ, Н.Новгород

Лобанов Д.Н. ИФМ РАН, Н.Новгород

Порядок представления материалов



Формы предварительной регистрации и тезисы принимаются только в электронном виде. Персональные заявки на участие в работе форума можно заполнить в режиме on-line.



Тезисы объемом в одну страницу, оформленные согласно предлагаемому образцу, отправляются в оргкомитет только через интерактивную форму загрузки тезисов.

Сборник тезисов будет выпущен к началу конференции

Даты проведения: с 03.02.2010 по 03.02.2010
Регистрация: c 06.07.2010 по 09.07.2010
Место проведения: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Сайт конференции: http://si-2010.unn.ru
Программа конференции: http://si-2010.unn.ru/invited.asp

Контактная информация

Email: silicon2010@unn.ru




Добавить публикацию - О проекте - Блог - Плагин для поиска - Поиск на своем сайте - Сообщить о проблеме - Размещение рекламы - Наши партнеры Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100